Superconductor-insulator transition controlled by annealing in Ga implanted Si
Superconductor-insulator transition controlled by annealing in Ga implanted Si
复制标题
掺镓硅中退火控制的超导-绝缘体转变
DOI：
10.1063/1.4732081
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发表时间：
2012
影响因子：
4
通讯作者：
Skorupa
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Fiedler;Voelskow;Mücklich;Skrotzki;Herrmannsdörfer;Skorupa
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沉积在不同基底上的淬火冷凝镓薄膜的导电起始和超导特性。
DOI：
--
发表时间：
1996
期刊：
Physical Review B (Condensed Matter)
影响因子：
--
作者：
Parshin;Landau;Rinderer
通讯作者：
Rinderer
影响因子：
3.7
作者：
J. Fiedler;V. Heera;R. Skrotzki;T. Herrmannsdörfer;M. Voelskow;A. Mücklich;S. Oswald;B. Schmidt;W. Skorupa;G. Gobsch;J. Wosnitza;M. Helm
通讯作者：
M. Helm
通过硅中镓的过度掺杂实现片上超导
影响因子：
4
作者：
R. Skrotzki;J. Fiedler;T. Herrmannsdörfer;V. Heera;M. Voelskow;A. Mücklich;B. Schmidt;W. Skorupa;G. Gobsch;M. Helm;J. Wosnitza
通讯作者：
J. Wosnitza
影响因子：
44.1
作者：
Sondhi, SL;Girvin, SM;Shahar, D
通讯作者：
Shahar, D
复合薄膜中的金属-绝缘体转变
DOI：
--
发表时间：
1982
期刊：
影响因子：
--
作者：
Y. Shapira;G. Deutscher
通讯作者：
G. Deutscher