Theoretical Analysis of Fluorine-Passivated Germanium Surface for High-k/Ge Gate Stack by Molecular Orbital Method
Theoretical Analysis of Fluorine-Passivated Germanium Surface for High-k/Ge Gate Stack by Molecular Orbital Method
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高k/Ge栅叠层氟钝化锗表面分子轨道法理论分析
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Okuyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D.H;Lee;H.Lee;T.Kanashima;M.Okuyama
