GaN-based Heterojunction FETs for Power Applications
GaN-based Heterojunction FETs for Power Applications
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用于电源应用的 GaN 基异质结 FET
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Kuzuhara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Kobayashi;Shun-ichi Takaoka;Yoshio Yamaguchi;M. Kuzuhara
