Fabrication of TiN/Si Contact with Low Electron Barrier Height and Electrical Characterization of Si-On-Insulator Using Back- Gate MOSFET
Fabrication of TiN/Si Contact with Low Electron Barrier Height and Electrical Characterization of Si-On-Insulator Using Back- Gate MOSFET
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低电子势垒高度的 TiN/Si 接触的制造以及使用背栅 MOSFET 的绝缘体上硅的电气特性
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Nakashima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Asakawa;K. Yamamoto;D. Wang;H. Nakashima
