A platform for GaAs opto-electronic integrated circuits based on GaAs/AlGaAs regrowth upon patterned InGaP
A platform for GaAs opto-electronic integrated circuits based on GaAs/AlGaAs regrowth upon patterned InGaP
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基于图案化 InGaP 上的 GaAs/AlGaAs 再生长的 GaAs 光电集成电路平台
DOI：
10.1117/12.841612
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Groom K
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Groom K
我们展示了如何利用图案化 InGaP 上的 GaAs/AlGaAs 再生长来实现自对准激光器、窗口结构超辐射二极管和分布式反馈激光器。这种实现通过埋置波导、低反射率面和光栅结构的新功能证明了这种方法对于基于 GaAs 的光电集成电路的前景。
We demonstrate how GaAs/AlGaAs regrowth upon patterned InGaP can be utilised to realise self-aligned lasers, window structured superluminescent diodes and distributed feedback lasers. Such realisation demonstrates the promise of this methodology for GaAs-based opto-electronic integrated circuits through new capability for buried waveguides, low reflectivity facets and gratings structures.