Frequency Dispersion of GaAs High-k MIS Capacitors with Si Interface Control Laver
Frequency Dispersion of GaAs High-k MIS Capacitors with Si Interface Control Laver
复制标题
具有硅接口控制层的砷化镓高 k MIS 电容器的频率分散
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Akazawa and H. Hasegawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
唐振尭;白石誠司ほか;長谷川英機;H. Hasegawa and M. Akazawa;H. Hasegawa and M. Akazawa;M. Akazawa and H. Hasegawa;M. Akazawa and H. Hasegawa;M. Akazawa and H. Hasegawa;M. Akazawa and H. Hasegawa
