T.Yodo: "Anisotropic Strain Estimated from Lattice Paramenters Measured by Bond Method Using X-Ray Diffration, in Molecular Beam Epitaxy-grown GaAs/Si(001)" Japanese Journal of Applied Physics. 37巻・2号. P.450-454 (1998)
T.Yodo: "Anisotropic Strain Estimated from Lattice Paramenters Measured by Bond Method Using X-Ray Diffration, in Molecular Beam Epitaxy-grown GaAs/Si(001)" Japanese Journal of Applied Physics. 37巻・2号. P.450-454 (1998)
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T. Yodo：“在分子束外延生长的 GaAs/Si(001) 中，通过使用 X 射线衍射键合法测量的晶格参数估计各向异性应变”，《日本应用物理学杂志》第 37 卷，第 2 期。P.450-。 454 (1998)
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