Advances in silicon carbide processing and applications
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DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Saddow;A. Agarwal
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Saddow;A. Agarwal
碳化硅。高温 SiC-FET 化学气体传感器。碳化硅技术和电力电子应用。通过离子注入选择性掺杂 SiC 的进展。功率 SiC MOSFET。采用 4H-SiC 的功率和射频 BJT。
Silicon Carbide. High Temperature SiC-FET Chemical Gas Sensors. Silicon Carbide Technology and Power Electronics Applications. Advances in Selective Doping of SiC Via Ion Implantation. Power SiC MOSFETs. Power and RF BJTs in 4H-SiC.