Coulomb-blockade oscillations in the conductance of a silicon metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor point contact.
Coulomb-blockade oscillations in the conductance of a silicon metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor point contact.
复制标题
硅金属氧化物半导体场效应晶体管点接触电导中的库仑阻塞振荡。
DOI：
--
复制
发表时间：
1991
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Heyers
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
de Graaf C;Caro;Radelaar;Lauer;Heyers
硅金属氧化物半导体场效应晶体管中点接触的低温电导在夹断附近出现周期性振荡。振荡的实验结果与共振隧穿的库仑阻塞模型在定量上符合得很好。
The low-temperature conductance of a point contact in a Si metal-oxide-semiconductor field-effect transistor shows periodic oscillations just above pinchoff. The experimental results on the oscillations quantitatively agree well with the model of the Coulomb blockade of resonant tunneling.