Short-term memory: New data and a model
Short-term memory: New data and a model
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DOI：
10.1016/s0079-7421(08)00001-7
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发表时间：
2008-01-01
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Farrell, Simon
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Lewandowsky, Stephan;Farrell, Simon
我们回顾了大量的基准数据短期记忆的顺序，并讨论了突出的计算理论占串行顺序记忆。在最近的诊断结果的基础上，我们确定了四个解释性的结构，我们建议必须在一个模型中实例化，以提供足够的考虑这些数据。我们提出了一个这样的模型，称为C-神经网络，并表明它处理现有的基准数据以及最近的诊断结果。最后，我们探索了一些模型的新颖的预测。(c)2008年，Elsevier Inc.
We review the extensive benchmark data on short-term memory for order, and discuss the prominent computational theories accounting for serial order memory. On the basis of recent diagnostic results, we identify four explanatory constructs that we suggest must be instantiated in a model to provide an adequate account of those data. We present one such model, called C-SOB, and show that it handles existing benchmark data as well as recent diagnostic results. We conclude by exploring some of the model's novel predictions. (c) 2008, Elsevier Inc.