Annealing study of carrier concentration in gradient-doped GaAs/GaAIAs epilayers grown by molecular beam epitaxy

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分子束外延梯度掺杂GaAs/GaAIAs外延层载流子浓度的退火研究

DOI：
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发表时间：
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期刊：
Applied Optics
影响因子：
1.9
通讯作者：
Feng, Shi
Feng, Shi
中科院分区：
工程技术4区
文献类型：
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作者：
Benkang, Chang;Yijun, Zhang;Jun, Niu;Yajuan, Xiong;Hui, Guo;Zhi, Yang;Yiping, Zeng;Feng, Shi

文献摘要

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