熱酸化SiC MOSキャパシタの絶縁破壊痕の形状評価
熱酸化SiC MOSキャパシタの絶縁破壊痕の形状評価
复制标题
热氧化 SiC MOS 电容器介质击穿痕迹形状的评估
DOI：
--
复制
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
丹羽正昭
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
佐藤創志;廣井佑紀;山部紀久夫;北畠真;遠藤哲郎;丹羽正昭
