Nanowire fin field effect transistors via UV-based nanoimprint lithography
Nanowire fin field effect transistors via UV-based nanoimprint lithography
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通过基于紫外线的纳米压印光刻技术制造纳米线鳍片场效应晶体管
DOI：
10.1116/1.2395956
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发表时间：
2006
影响因子：
1.4
通讯作者：
H. Kurz
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. Fuchs;M. Bender;U. Plachetka;L. Kock;T. Wahlbrink;H. Gottlob;J. Efavi;M. Moeller;Michael Schmidt;T. Mollenhauer;C. Moormann;M. Lemme;H. Kurz
提出了一种用于制造纳米翅片场效应晶体管（finfet）的紫外纳米压印光刻（UV- nil）三步对准工艺。两个功能层之间的对准精度小于20nm （3σ）。采用全NIL工艺制备的finfet的电学特性证明了UV-NIL在未来纳米电子器件中的潜力。
A triple step alignment process for UV nanoimprint lithography (UV-NIL) for the fabrication of nanoscale fin field effect transistors (FinFETs) is presented. An alignment accuracy is demonstrated between two functional layers of less than 20nm (3σ). The electrical characterization of the FinFETs fabricated by a full NIL process demonstrates the potential of UV-NIL for future nanoelectronic devices.