AlGaN/GaN HEMTs on Free-standing GaN substrate with Breakdown Voltage of 5 kV and Effective Lateral Critical Field of 1 MV/cm
AlGaN/GaN HEMTs on Free-standing GaN substrate with Breakdown Voltage of 5 kV and Effective Lateral Critical Field of 1 MV/cm
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独立式 GaN 衬底上的 AlGaN/GaN HEMT，击穿电压为 5 kV，有效横向临界场为 1 MV/cm
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and M. Kuzuhara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. H. Ng;J. T. Asubar;H. Tokuda;and M. Kuzuhara
