F.Hasegawa: "Thick and Smooth Hexagonal GaN Growth on GaAs (111) Substrates at 1000℃ with halide vapor phase epitaxy"Jpn.J.Appl.Phys.. Vol.38, No.7A. L700-L702 (1999)
F.Hasegawa: "Thick and Smooth Hexagonal GaN Growth on GaAs (111) Substrates at 1000℃ with halide vapor phase epitaxy"Jpn.J.Appl.Phys.. Vol.38, No.7A. L700-L702 (1999)
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F.Hasekawa：“在 1000℃ 下使用卤化物气相外延在 GaAs (111) 衬底上生长厚且光滑的六方 GaN”Jpn.J.Appl.Phys.. Vol.38，No.7A (1999)。
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