リードソロモン符号に基づいたマルチレベルセル不揮発性メモリ書き込み削減
リードソロモン符号に基づいたマルチレベルセル不揮発性メモリ書き込み削減
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基于Reed-Solomon码的多级单元非易失性存储器写减少
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
戸川望
中科院分区：
文献类型：
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作者：
多和田雅師;柳澤政生;戸川望
