Selective Area Growth of GaN on Free-standing m-plane GaN Substrates by MOVPE
Selective Area Growth of GaN on Free-standing m-plane GaN Substrates by MOVPE
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通过 MOVPE 在自支撑 m 面 GaN 衬底上选择区域生长 GaN
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kazumasa Hiramatsu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jinno Daiki;Bei Ma;Hedeto Miyak;Kazumasa Hiramatsu
