Effect of interfaces on quantum confinement in Ge dots grown on Si surfaces with a SiO2 coverage
Effect of interfaces on quantum confinement in Ge dots grown on Si surfaces with a SiO2 coverage
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界面对在 SiO2 覆盖的 Si 表面上生长的 Ge 点的量子限制的影响
DOI：
10.1016/s0039-6028(02)01602-3
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
1.9
通讯作者：
M. Ichikawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Shklyaev;M. Ichikawa
