Valence bands of amorphous and crystalline GeTe determined by X‐ray and UV photoemission
Valence bands of amorphous and crystalline GeTe determined by X‐ray and UV photoemission
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X 射线和紫外光电发射测定非晶态和晶态 GeTe 的价带
DOI：
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发表时间：
1973
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Cardona
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. J. Shevchik;J. Tejeda;D. Langer;M. Cardona
用X射线（1486.6eV）和紫外（21.2eV）光电子能谱测量了GeTe晶体和非晶体的价态密度、芯能级能量和特征能量损失谱。两个GeTe相的价带态密度一般相似，但在其详细结构中表现出明显的差异。GeTe的非晶形式的状态密度可以近似为非晶Ge和Te的元素形式的状态密度之和。本文提出了一个普遍适用于无规共价网络的价带态密度模型。Ge和Te原子的芯能级的分离在非晶相和晶相之间没有差异，因此表明这两个相的键合特性没有显著的离子性差异。鉴于目前的结构模型的无定形形式，从两相的光电发射之间的相似性是令人惊讶的。的等离子体频率的非晶和结晶形式被发现是16.4和16.9 eV，分别。
利用伦琴（1486.6 eV）和紫外（21.2 eV）光辐射谱研究了碲镉和非晶态碲镉的伏安特性、能量和发光特性。GeTe-Phasen的Valenzbandzuestransmitten在所有方面都很好，但在其结构上却很难理解。GeTe的非晶形式可以通过非晶Ge和Te近似元素的最大值来确定。这将是一个模型，以适应不同的需求，所有的数据都是统计学上的。在不考虑磁场和原子的情况下，不应对非晶相和晶相进行相互转换，这是因为，在最佳相的结合特性中，不应对离子化进行相互转换。在非晶形状的几何结构模型上进行了困难的研究，发现了双相光电子发射的原理。无定形和结晶形的等离子体频率为16.4 bzw。估计为16，9 eV。
The density of valence states, the energies of the core levels, and the characteristic energy loss spectra of crystalline and amorphous GeTe have been measured by X-ray (1486.6 eV) and UV (21.2 eV) photoemission spectroscopy. The valence band densities of states of the two GeTe phases are in general similar, but exhibit distinct differences in their detailed structure. That of the amorphous form of GeTe may be approximated by a sum of the densities of states of the elemental forms of amorphous Ge and Te. A model for the valence band density of states is proposed which may be generally applicable to random covalent networks. No difference in the separation of the core level of the Ge and Te atoms is found between the amorphous and crystalline phases, thus indicating that there is no significant ionicity difference in the bonding character of these two phases. In light of the current structural models for the amorphous form, the similarities between the photoemission from the two phases are surprising. The plasma frequencies of the amorphous and crystalline forms are found to be 16.4 and 16.9 eV, respectively.
Die Dichte der Valenzzustande, die Energien der Rumpfzustande und die charakteristischen Energieverlustspektren von kristallinem und amorphem GeTe wurden mit Ront-genstrahlen- (1486,6 eV) und UV- (21,2 eV)-Photoemissionsspektroskopie gemessen. Die Valenzbandzustandsdichten der beiden GeTe-Phasen sind im allgemeinen ahnlich, zeigen aber bestimmte Unterschiede in ihrer genauen Struktur. Die der amorphen Form von GeTe kann durch eine Summe der Zustandsdichten der Elementformen von amorphem Ge und Te approximiert werden. Es wird ein Modell fur die Valenzbandzustandsdichte angegeben, das allgemein anwendbar ist auf statistisch verteilte kovalente Netzwerke. Im Abstand der Rumpfzustande der Ge- und Te-Atome wurde kein Unterschied zwischen der amorphen und kristallinen Phase gefunden, was zeigt, das kein bedeutender Ionizitatsunterschied im Bindungscharakter dieser beiden Phasen besteht. Im Hinblick auf die gangigen Struktur-modelle fur die amorphe Form sind die Ahnlichkeiten zwischen der Photoemission der beiden Phasen uberraschend. Die Plasmafrequenzen der amorphen und kristallinen Formen wurden zu 16,4 bzw. 16,9 eV bestimmt.