Exhaustive search of digitized gate voltage for SiC MOSFETs

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详尽搜索 SiC MOSFET 的数字化栅极电压

DOI:
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发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
Takashi Hikihara
Takashi Hikihara
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
Hajime Takayama;Shuhei Fukunaka;Takashi Hikihara

文献摘要

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