熱CVD法による欠陥0を目指した単層グラフェンの成長条件の検討
熱CVD法による欠陥0を目指した単層グラフェンの成長条件の検討
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使用热CVD方法检查以零缺陷为目标的单层石墨烯的生长条件
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
市川 和典
中科院分区：
文献类型：
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作者：
松原 暉;市川和典;赤松 浩;須田善行;松原暉，市川和典，赤松浩，須田善行;松原暉，市川和典，赤松浩，須田善行;市川和典;松原 暉，市川 和典，赤松 浩，須田 善行;松原 暉，市川 和典;市川 和典;市川 和典
