TIME AND TEMPERATURE-DEPENDENCE OF INSTABILITY MECHANISMS IN AMORPHOUS-SILICON THIN-FILM TRANSISTORS
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DOI：
10.1063/1.100704
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发表时间：
1989-04-03
影响因子：
4
通讯作者：
HUGHES, JR
中科院分区：
文献类型：
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作者：
POWELL, MJ;VANBERKEL, C;HUGHES, JR
