Recent Progress in Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy of Thick GaN and InGaN
Recent Progress in Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy of Thick GaN and InGaN
复制标题
厚GaN和InGaN三卤化物气相外延最新进展
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Akinori Koukitu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hisashi Murakami;Nao Takekawa;Takahide Hirasaki;Yoshinao Kumagai;Kou Matsumoto;Akinori Koukitu
