Charge Trapping Characteristics in Silicon Nitrides Deposited Using Catalytic Chemical Vapor Deposition
Charge Trapping Characteristics in Silicon Nitrides Deposited Using Catalytic Chemical Vapor Deposition
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使用催化化学气相沉积沉积的氮化硅的电荷俘获特性
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and K.Kobayashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Takahara;H.Watanabe;M.Takagi;H.Zama;and K.Kobayashi
