Characterization of Traps in Semi-Insulating 4H-SiC by Discharge Current Transient Spectroscopy
Characterization of Traps in Semi-Insulating 4H-SiC by Discharge Current Transient Spectroscopy
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通过放电电流瞬态光谱表征半绝缘 4H-SiC 中的陷阱
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Takahashi and H.Matsuura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
大室;木村;羽石;M.Takahashi and H.Matsuura
