Hydrogen motion in defect complexes: Reorientation kinetics of the B-H complex in silicon.
Hydrogen motion in defect complexes: Reorientation kinetics of the B-H complex in silicon.
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缺陷复合物中的氢运动：硅中 B-H 复合物的重新取向动力学。
作者：
Stavola;Bergman;Pearton;Lopata
研究氢和络合物B-H和硅的运动规律。在贴花单一张力下产生单一取向优先的络合物B-H，单一温度下，在单一络合物（环境为60 K）下，高强度的H取代剂。在检测l‘对准，复合，比较，力，吸收，光学，振动，衰减，光偏振，平行，垂直和l’轴张力。一个小组的研究成果是，在一个小组的研究成果中，有一个小组的研究成果是，在一个小组的研究成果中，有一个小组的研究成果是，在一个小组的研究成果中，有一个小组的研究成果是，在一个小组的研究成果中，有一个小组的研究成果是，在一个小组的研究成果中，有一个小组的研究成果是，在一个小组的研究成果中，有一个小组的研究成果是，在一个小组的研究成果中，有一个小组的研究成果是
On etudie le mouvement de l'hydrogene dans le complexe B-H dans le silicium. On applique une tension afin de produire une orientation preferentielle du complexe B-H a une temperature suffisamment haute pour que H puisse se deplacer sans le complexe (environ 60 K). On detecte l'alignement des complexes en comparant les forces d'absorption optique de la vibration d'etirement de H pour une lumiere polarisee parallele et perpendiculaire a l'axe de tension. A partir de la cinetique de decroissance d'alignement apres l'application de la tension, on montre que le mouvement de H d'un site de liaison centree a un autre autour de B est active thermiquement par une energie d'activation de 0•19 eV