Thermal Effects on Initial Volatile Response and Relaxation Dynamics of Resistive RAM Devices
Thermal Effects on Initial Volatile Response and Relaxation Dynamics of Resistive RAM Devices
复制标题
热效应对阻性 RAM 器件初始易失性响应和弛豫动态的影响
DOI：
10.1109/led.2022.3145620
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发表时间：
2022
影响因子：
4.9
通讯作者：
Abbey T
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Abbey T
