A Non-Redundant Low-Power Flip Flop with Stacked Transistors in a 65 nm Thin BOX FDSOI Process
A Non-Redundant Low-Power Flip Flop with Stacked Transistors in a 65 nm Thin BOX FDSOI Process
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采用 65 nm 薄盒 FDSOI 工艺的非冗余低功耗触发器，具有堆叠晶体管
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and K. Kobayashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Maruoka;M. Hifumi;J. Furuta;and K. Kobayashi
