S.Iwai,et al.: "Reduction of carbon impurity in GaAs by photo-irradiation in atomic layer epitaxy" Applied Surface Science. 79/80. 232-236 (1994)
S.Iwai,et al.: "Reduction of carbon impurity in GaAs by photo-irradiation in atomic layer epitaxy" Applied Surface Science. 79/80. 232-236 (1994)
复制标题
S.Iwai 等人：“通过原子层外延中的光照射减少 GaAs 中的碳杂质”应用表面科学。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
