Molecular beam epitaxial growth of hexagonal boron nitride on Ni(1 1 1) substrate
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2009.01.077
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发表时间：
2009-05
影响因子：
1.8
通讯作者：
C. Tsai;Yoshihiro Kobayashi;T. Akasaka;M. Kasu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C. Tsai;Yoshihiro Kobayashi;T. Akasaka;M. Kasu
