Quaterrylene Single Monolayer Transistors Formed Using Ultra-slow Vacuum Deposition Technique
Quaterrylene Single Monolayer Transistors Formed Using Ultra-slow Vacuum Deposition Technique
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采用超慢真空沉积技术形成的四萘嵌苯单层晶体管
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Chikyow
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Hayakawa;M. Petit;Y. Wakayama;T. Chikyow
