Theoretical analyses of chemical bonding in terminal EThF2 (E = O, S, Se, Te)
Theoretical analyses of chemical bonding in terminal EThF2 (E = O, S, Se, Te)
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末端 EThF2 (E = O, S, Se, Te) 化学键的理论分析
DOI：
10.1007/s41365-019-0598-y
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发表时间：
2019-04
影响因子：
2.8
通讯作者：
Liu Hong Tao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Li Yan Li;Xiong Xiao Gen;Liu Hong Tao
用密度泛函理论对含硫族元素EThF 2（E = O，S，Se，Te）的物种进行了化学键和几何结构的分析。Kohn-Sham分子轨道和Th-E键长都表明它们具有多重键长。
Analyses of chemical bonding and geometric structures in species with chalcogen elements EThF2 (E = O, S, Se, Te) are performed by the density functional theory. Kohn–Sham molecular orbitals and Th–E bond lengths of these species both indicate multiple bo
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ThO2-和ThO3-的阴离子光电子能谱和化学键合
影响因子：
4.4
作者：
Li Yanli;Zou Jinghan;Xiong Xiao-Gen;Xie Hua;Tang Zichao;Ge Min;Zhao Yafan;Liu Hongtao
通讯作者：
Liu Hongtao
通过阴离子光电子成像和理论计算探测 ThO- 中的化学键和电子结构
DOI：
10.1021/acs.jpca.6b11554
发表时间：
2017
期刊：
The Journal of Physical Chemistry A
影响因子：
--
作者：
Yanli Li;Jinghan zou;Xiao-Gen Xiong;Jing Su;Hua Xie;Zejie Fei;Zichao Tang;Hongtao Liu
通讯作者：
Hongtao Liu
DOI：
10.1063/1.4861045
发表时间：
2014-01
期刊：
The Journal of chemical physics
影响因子：
--
作者：
Anh T. Le;M. Heaven;T. Steimle
通讯作者：
Anh T. Le;M. Heaven;T. Steimle
影响因子：
4.6
作者：
L. Andrews;K. S. Thanthiriwatte;Xuefeng Wang;D. Dixon
通讯作者：
L. Andrews;K. S. Thanthiriwatte;Xuefeng Wang;D. Dixon
DOI：
10.1021/jp208926m
发表时间：
2011-11
期刊：
The journal of physical chemistry. A
影响因子：
--
作者：
L. Andrews;Yu Gong;B. Liang;Virgil E. Jackson;Ryan Flamerich;Shenggang Li;D. Dixon
通讯作者：
L. Andrews;Yu Gong;B. Liang;Virgil E. Jackson;Ryan Flamerich;Shenggang Li;D. Dixon