Hf0.5Zr0.5O₂-based ferroelectric field-effect transistors with HfO₂ seed layers for radiation-hard nonvolatile memory applications
Hf0.5Zr0.5O₂-based ferroelectric field-effect transistors with HfO₂ seed layers for radiation-hard nonvolatile memory applications
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用于抗辐射非易失性存储器应用的具有 HfO™ 种子层的 Hf0.5Zr0.5O™ 铁电场效应晶体管
DOI：
10.1109/ted.2021.3095036
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发表时间：
2021
影响因子：
3.1
通讯作者：
Yichun Zhou
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Chen Liu;Wenwu Xiao;Yue Peng;Binjian Zeng;Shuaizhi Zheng;Lu Yin;Qiangxiang Peng;Xiangli Zhong;Min Liao;Yichun Zhou
