The Origin of Emitter-Like Recombination for Inverted c-Si Surfaces
The Origin of Emitter-Like Recombination for Inverted c-Si Surfaces
复制标题
倒置晶硅表面类发射极复合的起源
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
W. Kessels
中科院分区：
文献类型：
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作者：
I. Martinu;B. Hoex;Van de Sanden;R. Alcubilla;W. Kessels
