300℃超の高温に耐えうる抵抗変化型メモリ素子を アモルファス酸化ガリウムで実現！
300℃超の高温に耐えうる抵抗変化型メモリ素子を アモルファス酸化ガリウムで実現！
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使用非晶态氧化镓实现了可承受300℃以上高温的可变电阻存储元件！
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