Investigation of the Origin of the Leakage of P-N Diodes on a Free-Standing GaN Substrate Using the 3DAP and LACBED Methods
Investigation of the Origin of the Leakage of P-N Diodes on a Free-Standing GaN Substrate Using the 3DAP and LACBED Methods
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使用 3DAP 和 LACBED 方法研究独立式 GaN 衬底上 P-N 二极管漏电的根源
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hiroshi Amano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shigeyoshi Usami;Yoshihiro Sugawara;Yong-Zhao Yao;Yukari Ishikawa;Norihito Mayama;Kazuya Toda;Yuto Ando;Atsushi Tanaka;Kentaro Nagamatsu;Manato Deki;Maki Kushimoto;Shugo Nitta;Yoshio Honda;Hiroshi Amano
