Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction (x>0.4) Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure"
Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction (x>0.4) Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100) Heterostructure"
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高Ge分数(x>0.4) Si/应变Si_<1-x>Ge_x/Si(100)异质结空穴谐振隧道二极管电特性"
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J.Murota
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Seo、M.Sakuraba;J.Murota
