Generic Positive Effects of Low Level Impurity Doping on Flux Pinning Properties of HTSC and MgB_2
Generic Positive Effects of Low Level Impurity Doping on Flux Pinning Properties of HTSC and MgB_2
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低水平杂质掺杂对 HTSC 和 MgB_2 磁通钉扎性能的一般积极影响
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Kishio
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J.Shimoyama;T.Maruyama;M.Shigemori;S.Uchida;S.Ueda;A.Yamamoto;Y.Katsura;S.Horii;K.Kishio
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影响因子：
4
作者：
S. Ueda;J. Shimoyama;I. Iwayama;A. Yamamoto;Y. Katsura;S. Horii;K. Kishio
通讯作者：
S. Ueda;J. Shimoyama;I. Iwayama;A. Yamamoto;Y. Katsura;S. Horii;K. Kishio
Pb掺杂系统降低Bi 2 Sr 2 CaCu 2 O y 电阻率各向异性
DOI：
10.1103/physrevb.59.14080
发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
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作者：
T. Motohashi;Y. Nakayama;T. Fujita;K. Kitazawa;J. Shimoyama;K. Kishio
通讯作者：
K. Kishio
在重掺杂铅和氧控制的 Bi2212 单晶中发现了高达液氮温度的强通量钉扎
DOI：
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发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
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作者：
J. Shimoyama;Y. Nakayama;K. Kitazawa;K. Kishio;Z. Hiroi;I. Chong;M. Takano
通讯作者：
M. Takano
磁光测量研究掺杂Bi2212单晶的特性
影响因子：
1.8
作者：
T. Okabe;J. Shimoyama;M. Shigemori;S. Horii;K. Kishio
通讯作者：
K. Kishio
Bi(Pb)2212 单晶的增强通量钉扎性能
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Physica C 408-410
影响因子：
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作者：
M.Shigemori;T.Okabe;S.Uchida;T.Sugioka;J.Shimoyama;S.Horii;K.Kishio
通讯作者：
K.Kishio