Improved Optical Quality in GaAsN-strain-compensated InAs Quantum Dots and Room Temperature Stimulated Emission from InAs QDs Embedded in a GaAs Microdisk Cavity
Improved Optical Quality in GaAsN-strain-compensated InAs Quantum Dots and Room Temperature Stimulated Emission from InAs QDs Embedded in a GaAs Microdisk Cavity
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提高 GaAsN 应变补偿 InAs 量子点的光学质量以及嵌入 GaAs 微盘腔中的 InAs 量子点的室温受激发射
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Kumano I. Suemune
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Thilakan;G. Sasikala;H. Kumano I. Suemune
