T.Hattori, K.Takahashi, H.Nohira: "The initial growth steps of ultrathin gate oxides"Microelectronic Engineering. 48. 17-24 (1999)
T.Hattori, K.Takahashi, H.Nohira: "The initial growth steps of ultrathin gate oxides"Microelectronic Engineering. 48. 17-24 (1999)
复制标题
T.Hattori、K.Takahashi、H.Nohira:“超薄栅极氧化物的初始生长步骤”微电子工程。
DOI:
--
复制
发表时间:
--
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
中科院分区:
文献类型:
--
作者: