Isotropic Plasma-enhanced Atomic Layer Etching of SiO2 using F radicals and Ar plasma
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使用 F 自由基和 Ar 等离子体对 SiO2 进行各向同性等离子体增强原子层蚀刻
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and M. Hori
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Osonio;T. Tsutsumi;B. Mukherjee;R. Borude;N. Kobayashi;and M. Hori
