T.Suzuki,I.Ichimura,T.Nishinaga: "Dependence of Ga desorption rate upon the step density in molecular beam epitaxy of GaAs" Japan.J.Appl.Phys.30. L1612-L1615 (1991)
T.Suzuki,I.Ichimura,T.Nishinaga: "Dependence of Ga desorption rate upon the step density in molecular beam epitaxy of GaAs" Japan.J.Appl.Phys.30. L1612-L1615 (1991)
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T.Suzuki、I.Ichimura、T.Nishinaga：“GaAs 分子束外延中 Ga 解吸速率对阶梯密度的依赖性”Japan.J.Appl.Phys.30。
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