PHITS-TCADシミュレーションによる完全空乏型SOIプロセスにおけるBOX層の厚さと基板バイアスによるソフトエラー耐性の評価
PHITS-TCADシミュレーションによる完全空乏型SOIプロセスにおけるBOX層の厚さと基板バイアスによるソフトエラー耐性の評価
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使用 PHITS-TCAD 模拟评估完全耗尽 SOI 工艺中由于 BOX 层厚度和衬底偏差引起的软误差容限
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
小林和淑
中科院分区：
文献类型：
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作者：
張魁元;神田翔平;山口潤己;古田潤;小林和淑
