Large reduction of leakage currents in AIGaN Schottky diodes by a surface control process and its mechanism
Large reduction of leakage currents in AIGaN Schottky diodes by a surface control process and its mechanism
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表面控制工艺大幅降低AIGaN肖特基二极管漏电流及其机制
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Tamotsu Hashizume
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Junji Kotani;Massamitsu Kaneko;Hideki Hasegawa;Tamotsu Hashizume
