高速CWレーザーアニール法を用いたGeおよびGeSn材料の結晶成長
高速CWレーザーアニール法を用いたGeおよびGeSn材料の結晶成長
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采用高速连续激光退火法生长 Ge 和 GeSn 材料的晶体
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
深田 直樹
中科院分区：
文献类型：
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作者：
松村 亮;深田 直樹
