Depth Profiles of the Fermi Level at an Amorphous-Carbon Nitride/SiO_2/n-type-Si Heterojunction Interface Obtained by Kelvin Probe Force Microscopy
Depth Profiles of the Fermi Level at an Amorphous-Carbon Nitride/SiO_2/n-type-Si Heterojunction Interface Obtained by Kelvin Probe Force Microscopy
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开尔文探针力显微镜获得非晶碳氮化物/SiO_2/n型硅异质结界面费米能级深度分布
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Osamu Takai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takahiro Ishizaki;Nagahiro Saito;Riichiro Ohta;Osamu Takai
