常温接合を用いたⅢ-Ⅴ族化合物半導体基板接合の検討
常温接合を用いたⅢ-Ⅴ族化合物半導体基板接合の検討
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室温键合III-V族化合物半导体衬底的研究
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
内田 史朗
中科院分区：
文献类型：
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作者：
西舘 優太;久恒 圭人;内田 和樹;山田 省吾;赤羽 浩一;内田 史朗
