T.Hashizume: "SiO2/amorphous As/GaAs Passivation Systems Prepared at Room Temperature by 50Hz Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition" Journal of Applied Physics. 76. 5955-5960 (1994)
T.Hashizume: "SiO2/amorphous As/GaAs Passivation Systems Prepared at Room Temperature by 50Hz Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition" Journal of Applied Physics. 76. 5955-5960 (1994)
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T.Hashizume：“室温下通过 50Hz 等离子体增强化学气相沉积制备的 SiO2/非晶 As/GaAs 钝化系统”应用物理学杂志。
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