High-Temperature Fractional Quantum Hall States
High-Temperature Fractional Quantum Hall States
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DOI：
10.1103/physrevlett.106.236802
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发表时间：
2011-06-06
影响因子：
8.6
通讯作者：
Wen, Xiao-Gang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tang, Evelyn;Mei, Jia-Wei;Wen, Xiao-Gang
我们表明，一个适当的组合的几何挫折，铁磁性，自旋轨道相互作用可以产生一个大的带隙和非零陈数的近平带。平带的部分填充可以在高温（甚至室温）下产生分数量子霍尔态。虽然具有合适参数的候选材料的识别仍然开放，但我们的工作为探索和合成指明了有趣的方向。
We show that a suitable combination of geometric frustration, ferromagnetism, and spin-orbit interactions can give rise to nearly flatbands with a large band gap and nonzero Chern number. Partial filling of the flatband can give rise to fractional quantum Hall states at high temperatures (maybe even room temperature). While the identification of material candidates with suitable parameters remains open, our work indicates intriguing directions for exploration and synthesis.