Comparative Study on InAs/InGaAs Dots-in-a-Well Structure Grown on GaAs(311) B and (100) Substrates
Comparative Study on InAs/InGaAs Dots-in-a-Well Structure Grown on GaAs(311) B and (100) Substrates
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GaAs(311)B和(100)衬底上生长的InAs/InGaAs井内点结构的对比研究
DOI：
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发表时间：
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影响因子：
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通讯作者：
Zhao, Liancheng
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Wang, Lu;Li, Meicheng;Xiong, Min;Wang, Wenxin;Gao, Hanchao;Zhao, Liancheng
